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晶飛半導體成功實現12英寸碳化硅晶圓剝離

時間：2025-09-10

來源：電子技術應用

導語：9 月 9 日消息，中國科學院半導體研究所科技成果轉化企業北京晶飛半導體科技有限公司昨日宣布近期成功利用自主研發的激光剝離設備實現了 12 英寸 (300mm) 碳化硅 (SiC) 晶圓的剝離。

　　9 月 9 日消息，中國科學院半導體研究所科技成果轉化企業北京晶飛半導體科技有限公司昨日宣布近期成功利用自主研發的激光剝離設備實現了 12 英寸 (300mm) 碳化硅 (SiC) 晶圓的剝離。

　　這一技術突破解決了大尺寸碳化硅晶圓加工的技術瓶頸，打破了國外廠商在大尺寸碳化硅加工設備領域的技術壟斷，有利于 12 英寸 SiC 晶圓的商業化。而面積更大的 SiC 晶圓意味著更低的晶邊損失和更大規模的一次處理能力，單位芯片成本能較 6 英寸晶圓降低 30%~40%。


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