12月1日，據報道，意法半導體和Soitec宣布下一階段的碳化硅(SiC)襯底合作，意法半導體計劃在未來18個月內對Soitec的SiC襯底技術進行認證。

　　此次合作的目標是意法半導體在未來的8英寸襯底制造中采用Soitec的SmartSiC?技術，為其器件和模塊制造業務提供動力，預計將在中期量產。

　　“向8英寸SiC晶圓的過渡將為我們的汽車和工業客戶帶來巨大的優勢，因為他們加速了向系統和產品電氣化的過渡。“意法半導體汽車和分立器件業務部總裁Marco Monti表示。

　　“隨著電動汽車的出現，汽車行業正面臨重大顛覆。我們尖端的SmartSiC?技術使我們獨特的SmartCut?工藝適應碳化硅半導體，將在加速其采用方面發揮關鍵作用，“Soitec首席運營官Bernard Aspar說。Soitec的SmartSiC?襯底與意法半導體業界領先的碳化硅技術和專業知識相結合，將改變汽車芯片制造的游戲規則，樹立新的標準。

　　SiC是一種具有內在特性的顛覆性化合物半導體材料，在電動汽車和工業流程等關鍵、高增長的功率應用中提供優于硅的性能和效率。它可實現更高效的電源轉換、更輕、更緊湊的設計，并節省整體系統設計成本，這些都是汽車和工業系統成功的關鍵參數和因素。

　　從6英寸晶圓過渡到8英寸晶圓將大幅提高產能，制造集成電路的有用面積提升幾乎兩倍，每個晶圓可以提升1.8-1.9倍的工作芯片。

　　值得注意的是，今年10月，意法半導體表示將在意大利建造一座價值7.3億歐元(約合人民幣50.28億元)，年產超過37萬片的襯底項目，借此實現40%碳化硅襯底的自主供應。

　　此前，為了提高歐洲的生產能力，歐盟推出了《芯片法案》，歐盟擬動用超過430億歐元的公共和私有資金，用于支持芯片生產、試點項目和初創企業。通過增加投資、加強研發，擴大歐盟芯片產能在全球市場占比，并防止對國際市場過度依賴。

　　意法半導體表示，新的集成SiC襯底制造設施將滿足汽車和工業客戶在向電氣化過渡期間不斷增長的需求。這項為期五年的投資將于2026年完成，將得到意大利2.925億歐元的公共資金的支持，作為該國國家恢復和復原計劃的一部分，并獲得歐盟委員會的批準。