中天弘宇集成電路有限責任公司(簡稱：中天弘宇)于2021年8月22日在上海召開“自主原創先進存儲技術”暨90nm BCD工藝平臺上的MTP IP產品的發布會。中國工程院院士倪光南等專家，上海市、浦東新區等有關部門，國際半導體協會等行業組織，上海科創投、張江集團、浦東科創等有關方面，華虹集團、上海集成電路研發中心、新思科技、瑞薩電子、恩智浦、博世，南芯半導體、英唐智控、華大半導體、江波龍、紫光展銳、矽致微電子等一批產業鏈企業及投資機構，參加了中天弘宇本次的技術發布會。

　　倪光南院士在視頻致辭中，高度評價中天弘宇“二次電子倍增注入浮柵”技術是一項重大發明，實現了中國存儲器底層技術零的突破。希望中天弘宇與集成電路行業企業一起發奮努力，設計創新更多自主原創的產品，提高自主原創存儲器的市場份額，解決存儲器的被動局面。南芯半導體、英唐智控、華大半導體、江波龍、紫光展銳、矽致微電子等集成電路企業表示了對中天弘宇先進存儲技術的持續關注和合作意愿。

　　中天弘宇張佳董事長回顧中天弘宇進入集成電路行業七年來的奮斗歷程，對方方面面給予的支持表示感謝。中天弘宇副總裁、CTO聶虹先生介紹了“二次電子倍增注入浮柵”的原理及重大意義，以及與傳統技術的區別及優勢，并對中天弘宇未來技術及產品的發展規劃做了介紹。

　　本次發布會還邀請新思科技中國董事長兼全球資深副總裁葛群、國際半導體產業協會中國區總裁居龍、南芯半導體市場總監劉崇和資深工藝專家官浩等，共同研討了國內先進存儲技術和產業化進展狀況，針對產業鏈融合、工藝實現、市場推廣、融資策略等方面，提出了真知灼見。

　　技術優勢及背景資料

　　中天弘宇創造性地對閃存存儲進行了重構，突破了20多年來阻礙閃存存儲技術縮微擴容發展的瓶頸，使得其在同樣的工藝條件下，可以做到大容量、小面積、低功耗，且有效的解決大規模數據存儲、運行一體化的技術性難題，為人工智能、AI、新型FPGA等發展，提供可靠、高效的存儲技術解決方案。

　　中天弘宇以“二次電子倍增注入浮柵”原理為基礎，以自主、原創、可控的知識產權專利發明為契機，實現了中國存儲芯片領域原創專利“零的突破”，并進一步拓展應用領域及國際市場，協同EDA工具、應用設計、制造、封裝、測試一體化發展，為全球數字信息化浪潮提供優質的存儲及存算一體化解決方案。

　　中天弘宇研發成功的新型快閃存儲器具有以下突出的特性和前景：

　　■ 完整自主知識產權體系

　　■ 先進高效閃存研發成果

　　■ 創新存算一體解決方案

　　■ 關鍵環節配合協同發展

　　中天弘宇充分運用“二次電子倍增注入浮柵” 的物理現象，并利用其進行了創新結構設計，初步構建了擁有國內、國際完整自主知識產權專利的系列新型高性能快閃存儲器產品，“在非易失存儲領域屬國際首創技術”。該項發明成果已在中、日、美、韓和中國臺灣地區申請了成體系的原創性發明專利，其中多項核心專利已獲批，專利體系化建設在不斷完善之中。

　　中天弘宇“二次電子倍增注入浮柵”技術是一項前所未有的創新實踐，先進存儲技術在90nm技術節點流片成功是一個重要的里程碑。中天弘宇還將進一步積聚集成電路全行業工程技術專家的智慧，爭取應用和市場持續不斷的支持，開拓存儲技術的運用范圍，擴大存儲器系列產品，為國家創造更多自主原創技術和產品。