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第三代半導體突破供電瓶頸 有望在AI數據中心領域廣泛應用

時間：2025-11-13

來源：電子技術應用

導語：為支持高功耗高性能AI計算日益增長的需求，碳化硅襯底逐漸被用于AI數據中心電源供應單元的交直流轉換階段。

　　為支持高功耗高性能AI計算日益增長的需求，碳化硅襯底逐漸被用于AI數據中心電源供應單元的交直流轉換階段。

　　降低能耗、改進散熱解決方案并提升服務器的功率密度，打開了碳化硅產品的應用領域和天花板。

　　AI服務器功耗高，數據中心需要使用更高功率的供電架構。

　　為了應對更高端的AI運算，服務器供電系統各環節的效能、功率密度需要進一步提高。

　　SiC/GaN等第三代半導體材料具有高擊穿電場、高遷移率等特點，允許材料在更高的溫度和電壓下運行，降低能耗和成本。

　　目前頭部廠商正在持續推動SiC/GaN在AI數據中心領域應用。

　　東方證券指出，展望未來，在AI服務器及數據中心的大功率供電需求不斷提升的趨勢下，SiC/GaN有望得到更廣泛的應用。

　　相關上市公司中：

　　天岳先進表示，公司的客戶英飛凌、安森美已成功進入英偉達等行業巨頭的供應鏈，成為AI算力基礎設施的重要組成部分。

　　三安光電的碳化硅產業鏈包括晶體生長—襯底制備—外延生長—芯片制程—封裝測試，產品已廣泛應用于新能源汽車、光伏儲能、充電樁、AI及數據中心服務器等領域。


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