據韓媒報道，9月22日，東部高科(DB Hitech)與韓國半導體公司A-pro Semicon宣布簽署了一項開發GaN功率半導體代工工藝技術的商業協議，目標是開發8英寸GaN功率半導體技術。

　　根據諒解備忘錄，雙方將在2022年至2024年期間，推動“GaN功率半導體代工工藝技術的發展”。具體來看，東部高科將應用A-pro Semicon生產的8英寸GaN外延片產品，共同開發核心工藝，最終目標是開發8英寸GaN功率半導體技術。

　　通過這項合作協議，A-pro Semicon將確保穩定的代工合作伙伴，同時，東部高科8英寸工藝設備的兼容性將為A-pro Semicon帶來穩定的代工產能，有利于其進一步發展 GaN功率半導體業務。

　　資料顯示，A-pro Semicon是韓國A-PRO Co., Ltd.的半導體業務子公司，于2020年引進美國設備廠Veeco的GaN功率半導體用8英寸MOCVD量產設備，同年底，A-pro Semicon宣布與新加坡 GaN-on-Si/SiC外延公司IGSS GaN Pte Ltd(IGaN)公司共同開發8英寸650V E-MODE GaN功率晶體管。

　　今年6月消息，A-pro Semicon穩定了基于8英寸外延片650V高壓GaN功率半導體元件的良率，并成功實現量產技術。同時還開發了低壓GaN功率半導體元件，豐富了產品組合。

　　而作為全球晶圓代工廠主力軍之一，東部高科也已將GaN和SiC功率半導體視作下一代增長引擎，近年來順勢大力發展第三代功率半導體市場。

　　在SiC功率半導體領域，東部高科今年6月透露擬建設8英寸SiC產線，目標是在2025年生產并向成品汽車供應首款1200V SiC MOSFET。目前，該公司正在測試和生產6英寸SiC功率半導體。

　　在GaN功率半導體領域，東部高科今年初宣布在硅基GaN上生長8英寸半導體元件的計劃。據悉，采用硅基GaN技術可提升半導體制造的競爭力，從而簡化晶圓工藝，提高晶圓代工廠的盈利能力。在此之前，臺積電已將硅基GaN技術導入了6英寸晶圓代工廠，并攜手意法半導體推進GaN制程技術的開發，旨在推動分離式與整合式GaN元件的落地應用。

　　從目前的動作來看，東部高科加快了8英寸GaN功率半導體技術和產品的開發，有望結合A-Pro Semicon在8英寸GaN外延領域的專業知識和技術儲備，縮短核心工藝的開發周期，加快8英寸GaN功率半導體器件產品研發及商業化的進程。