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晶盛機電突破超薄晶圓加工技術

時間：2024-08-13

來源：電子技術應用

導語：晶盛機電宣布，其旗下研究所研發的新型WGP12T減薄拋光設備成功實現了穩定加工12英寸30μm超薄晶圓(12英寸晶圓厚度通常約為775μm)。

　　晶盛機電宣布，其旗下研究所研發的新型WGP12T減薄拋光設備成功實現了穩定加工12英寸30μm超薄晶圓(12英寸晶圓厚度通常約為775μm)。

　　據稱，該技術的成功突破標志著晶盛機電在半導體設備制造領域再次邁出重要一步，為中國半導體產業的技術進步和自主可控提供了有力支撐。

　　晶盛機電表示，研發團隊解決了超薄晶圓減薄加工過程中出現的變形、裂紋、污染等難題，真正實現了30μm超薄晶圓的高效、穩定的加工技術。此次再次突破行業領先的超薄晶圓加工技術，將為我國半導體行業提供更先進、更高效的晶圓加工解決方案。


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