從2016年開始，一路飆升的存儲價格正在侵蝕整機廠商的銷售利潤。不管是DRAM還是NANDFLASH，一年多的是時間里，幾乎每個季度價格都在創(chuàng)新高。以金士頓駭客神條8GBDDR42400內存為例，在2016年11月時價格僅為339元，僅時隔一年，價格竟?jié)q到了969元。據(jù)估計，此種價格漲勢將持續(xù)至2018年第一季度。

憑借此次內存漲價潮，三星電子一躍成為2017年全球經營利潤最高的公司，第四季度的營業(yè)利潤預計將首次突破約合人民幣600億元，同比增加179%；韓國海力士第三季度的基本盈利達到約合人民幣218.1億元，同比大增415%；美國美光科技第四季度營收為61.4億美元，比去年同期高91%，并且超出華爾街59.6億美元的預期。在廣大整機廠商為漲價而痛苦不堪時，存儲器廠商卻迎來了難得的春天。

市場：供不應求是推動內存漲價的根本原因

談到內存漲價，有人認為是巨頭壟斷所致，也有人認為是經銷商在惡意囤貨。但筆者則認為，存儲器生產速度滿足不了新的市場需求才是推動內存價格持續(xù)上漲的真正原因。回顧存儲產業(yè)發(fā)展，十年前，內存主要應用在PC和服務器上，但由于這兩大市場的銷售量增長平穩(wěn)，廠商能通過對市場的預測保持供需之間的平衡，使得內存價格保持穩(wěn)定，甚至隨著技術的進步會有下降。因此長期以來，內存在PC和服務器設備購置清單上一直扮演著“白菜黨”的角色。

但近年來，隨著移動終端、云計算、人工智能、物聯(lián)網、大數(shù)據(jù)等新技術逐漸發(fā)展成熟，大量的應用開始落地，使得市場出現(xiàn)很多新的產品購買需求。用戶需求速度更快、性能更高的存儲器產品，如固態(tài)硬盤、閃存等。統(tǒng)計顯示，僅2016年中國智能手機生產量就達到15億部，而64G和128G內存已成標配。與此同時，大規(guī)模云平臺和新一代數(shù)據(jù)中心的部署也進一步推動了對高性能存儲器產品的需求。在PC市場，越來越多的人期望用SSD替代HDD以提高整機性能。

據(jù)ICInsights預測，2017年全球DRAM市場規(guī)模將增長75%達到720億美元；NANDFlash全球市場將增長了44%達到498億美元。存儲器在2020年全球市場規(guī)模將達1000億美元。

數(shù)據(jù)來源：DRAMeXchange《2018年全球內存產業(yè)發(fā)展趨勢》

一般而言，存儲工廠從建廠到投產一般都需要1到2年時間。如果短期內市場出現(xiàn)變化，對高性能存儲器產品需求量太大，就會出現(xiàn)供不應求的現(xiàn)象，從而推動存儲器價格的快速增長。從2016年開始，存儲器廠商開始將產能轉向3DNAND這種新型的閃存上，降低了對DRAM和2DNAND生產計劃，而3DNAND產品的良率又非常低，結果導致幾乎全系列存儲產品的缺貨。

挑戰(zhàn)：上漲的存儲成本蠶食國內電子產業(yè)利潤

目前，中國是全球最大的集成電路需求市場。數(shù)據(jù)顯示，2016中國集成電路市場規(guī)模達到11985.9億元，其中存儲器市場規(guī)模為2843億元，占據(jù)全球54.1%的份額。存儲器作為應用最廣泛的半導體核心器件，是集成電路的支柱產品之一。然而不得不接受的現(xiàn)狀是，時至今日中國的存儲器產品仍然嚴重依賴進口。

目前，在全球半導體存儲器產業(yè)中，韓國三星、海力士和美國鎂光科技三家占據(jù)DRAM市場93%的份額，中國份額為零；閃存市場被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾六家瓜分，中國份額仍然為零；只有中國兆易創(chuàng)新2016年在NorFlash芯片占到7%市場份額。據(jù)統(tǒng)計，2013到2016年，中國半導體存儲器進口量在四年間增長了47.5%，進口金額從461.7億美元增長到681.3億美元，預計2017年將突破700億美元。半導體存儲器產業(yè)的控權權仍然掌握在國外少數(shù)企業(yè)手中。

此次內存漲價，不斷極大的蠶食了電子整機企業(yè)的利潤，而且對產業(yè)的發(fā)展也帶來影響。以手機行業(yè)為例，小米、華為作為國內最大的手機生產商之一，從2016年開始，存儲器采購成本大幅增加，利潤被嚴重壓縮。面對內存漲價的不利局面，既要能夠拿到貨，又要維持基本利潤，不得不調高手機價格，結果漲價的成本又轉移到了消費者身上。內存漲價對本來就萎靡不振的PC市場來說更是雪上加霜。許多消費者表示由于內存漲價太厲害，不得不暫時放棄大內存配備；部分裝機店主表示，受到內存漲價影響，電腦裝機量下降20%，其中來自網吧的訂單至少下降50%。內存漲價的結果最后還是由中國電子產業(yè)鏈上的企業(yè)、經銷商和消費共同買了單。

中國科學院微電子研究所所長葉甜春在國際集成電路產業(yè)發(fā)展高峰論壇上呼吁：“未來3０年，如果中們不解決存儲芯片自己制造的問題，所謂的信息化時代會失去一個非常重要的依托和基礎。”

政府：積極引導國產存儲器產業(yè)發(fā)展

存儲器對中國信息產業(yè)發(fā)展至關重要。發(fā)展國產存儲器不僅可以滿足國內巨大需求市場，帶動整個集成電路產業(yè)鏈的良性發(fā)展，還可以徹底改變存儲器受制于人的不利局面，也是在半導體產業(yè)發(fā)展方面趕超發(fā)達國家的有效途徑。

黨和國家領導人對集成電路產業(yè)的發(fā)展高度重視，將其提升至國家戰(zhàn)略高度。習近平總書記指示，集中國家優(yōu)勢力量和資源，盡快在集成電路、核心電子元器件、基礎軟件等核心關鍵技術領域實現(xiàn)突破。

各地方政府通過設立大規(guī)模的投資基金，支持存儲產業(yè)。截至2017年上半年，地方政府設立的集成電路投資基金規(guī)模已超過3000億元。2016-2017年之間，全球確定新建的19座晶圓廠有10家位于中國大陸。今年10月，國家發(fā)展改革委、工信部聯(lián)合下達2017年集成電路重大專項投資計劃，福建晉華DRAM存儲器項目獲批2億元，廈門三安通訊微電子器件項目獲批0.5億元。總規(guī)模300億元的安徽省集成電路產業(yè)投資基金于18日正式設立。安徽省計劃到2020年，建設3條12英寸晶圓生產線和3條以上8英寸特色晶圓生產線，綜合產能超20萬片／月，產值達到500億元。

存儲企業(yè)積極產業(yè)布局，重點技術創(chuàng)新與突破。紫光國芯600億元人民幣定增資金用于FlashMemory的投資建設，武漢新芯擬投資240億美元打造國內集成電路存儲器產業(yè)基地，以及一期投資額370億人民幣的福建省晉華存儲器集成電路生產線項目。另外在武漢，今年３月下旬，總投資約１６００億元人民幣的存儲器基地項目在東湖高新區(qū)正式啟動，計劃到２０２０年實現(xiàn)月產能３０萬片晶圓的生產規(guī)模。以此測算，這三家企業(yè)在存儲器芯片方面的投資總額將超過２55０億人民幣。

同時，各個存儲廠商對未來產能進行預測，在未來三年內用上國產存儲芯片將指日可待。

長江存儲在今年12月研發(fā)出了32層64G的完全自主知識產權的3DNAND芯片，2018將實現(xiàn)量產，預計到2020年達到月產30萬片的規(guī)模。

合肥長鑫投資72億美元興建12寸晶圓廠以發(fā)展DRAM產品，預計在2018年實現(xiàn)量產，最大月產將高達12.5萬片規(guī)模。

福建晉華的12寸DRAM生產線已于今年11月封頂，1期總計將投入53億美元，預計2018年第3季正式導入32納米制程的12寸晶圓月產能，預計達到6萬片的規(guī)模。

企業(yè)：存儲器國產化將是曠日持久戰(zhàn)

國外存儲巨頭不論是在性能還產性能上都遠遠超過中國企業(yè)。據(jù)韓國專家估計，中國存儲器芯片的技術力與韓國仍有10~15年的差距。今年，三星、海力士仍然在不斷擴產，5月，三星在韓國華城工廠投資27億美元增設DRAM產線；8月，三星宣布未來三年投資70億美元，在中國最大的西安工廠擴充NANDFlash產能；11月，SK海力士與無錫市政府簽約，計劃投資86億美元擴充DRAM產能，估計新廠房每月產能為20萬片，制程技術鎖定以10納米。存儲器芯片面臨高技術壁壘和激烈的全球化競爭，之前就有許多涉足存儲器芯片領域的廠商最后被“自殺式反周期法則”逼迫退出市場的先例。

盡管擁有巨大內需市場支撐，但中國存儲行業(yè)起步較晚，技術薄弱，想從牢牢占據(jù)90%以上份額的三巨頭手中爭奪市場，這是注定是一場沒有硝煙的“戰(zhàn)爭”，難度之大可想而知。中國存儲企業(yè)在規(guī)模上不能盲目跟風擴產，應結合自身市場特點，布局整體產業(yè)發(fā)展，避免與國外強手正面競爭和沖突；重視新產品研發(fā)創(chuàng)新，重點突破關鍵核心技術領域；同時做好心理和資金的準備，打一場從無到有、從弱到強的曠日持久戰(zhàn)。相信在未來5到10年內，在中國的存儲企業(yè)中，一定會出現(xiàn)像第二個“京東方”，再創(chuàng)行業(yè)輝煌。