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臺積電引入最先進16nm工藝,預計明年5月投產

時間：2017-12-11

來源：網絡轉載

導語：據報道，臺積電南京工廠將會在明年5月提前量產30mm晶圓，據悉，臺積電會引進16nmFinFET制造工藝，僅次于10nmFinFET，并在南京設立一個設計服務中心來吸引客戶訂單。

據報道，臺積電南京工廠將會在明年5月提前量產30mm晶圓，據悉，臺積電會引進16nmFinFET制造工藝，僅次于10nmFinFET，并在南京設立一個設計服務中心來吸引客戶訂單。

據臺積電聯席CEO劉德音（MarkLiu）披露，臺積電位于南京的300mm晶圓廠將于2018年5月份投入量產，比原計劃的2018年下半年提前了一個季度還要多。

臺積電南京晶圓廠于2016年7月份破土動工，2017年9月份開始設備安裝，將會引入16nmFinFET制造工藝，并在南京設立一個設計服務中心來吸引客戶訂單。

這是臺積電目前已量產的第二高級的工藝，僅次于10nmFinFET——按照相關政策，最先進的工藝是不允許引入內地的。

即便如此，這也將成為內地最先進的工藝——目前內地最好的還是28nm，最流行的依然是40/45nm。

劉德音還表示，除了高性能計算、IoT物聯網、汽車電子、移動設備，臺積電未來還會專注于AI人工智能、5G設備平臺，并且正與大量客戶密切溝通，計劃用12nm、10nm、7nm工藝制造AI和機器學習芯片。

使用新的7nm工藝，臺積電還為40多家客戶研發了5G相關新品，將于2018年量產。

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