小型LPCVD設備是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）?？捎糜诳茖W研究、實踐教學、小型器件制造。

設備結構及特點

1、小型化，方便實驗室操作和使用，大幅降低實驗成本

兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。

基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。

基片形狀類型：不規則形狀的散片、φ2～4英寸標準基片。

2、設備為水平管臥式結構

由石英管反應室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統、真空系統、氣路系統、溫控系統、壓力控制系統及氣瓶柜等系統組成。

反應室由高純石英制成，耐*腐*蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設備電控部分采用了*先*進*的檢測和控制系統，量值準確，性*能*穩*定、可靠。

設備主要技術指標

 成膜類型  Si3N4、Poly-Si、SiO2等

 溫度  1200℃

 恒溫區長度  根據用戶需要配置

 恒溫區控溫精度  ≤±0.5℃

 工作壓強范圍  13～1330Pa

 膜層不均勻性  ≤±5％

 基片每次裝載數量  標準基片:1～3片;不規則尺寸散片:若干

 壓力控制  閉環充氣式控制

 裝片方式  手動進出樣品

生產型LPCVD該設備是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。

可提供相關鍍膜工藝。

設備結構及特點：

設備為水平管臥式結構，由石英管反應室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統、真空系統、氣路系統、溫控系統、壓力控制系統及氣瓶柜等系統組成。

反應室由高純石英制成，耐*腐*蝕、抗*污*染、漏率小、適合于高溫使用; 設備電控部分采用了先進的檢測和控制系統，量值準確，性*能*穩*定、可靠。

整個工藝過程由計算機對全部工藝流程進行管理，實現爐溫、氣體流量、壓力、閥門動作、泵的啟閉等工藝參數進行監測和自動控制。也可以手動控制。

設備主要技術指標

 成膜類型  Si3N4、Poly-Si、SiO2等

 溫度  1200℃

 恒溫區長度  根據用戶需要配置

 恒溫區控溫精度  ≤±0.5℃

 工作壓強范圍  13～1330Pa

 膜層不均勻性  ≤±5％

 基片每次裝載數量  100片

 設備總功率  16kW

 冷卻水用量  2m3/h

 壓力控制  閉環充氣式控制

 裝片方式  懸臂舟自動送樣

LPCVD軟件控制界面