GaAs太陽電池的發展是從上世紀50年代開始的，至今已有已有50多年的歷史。1954年世界上首次發現GaAs材料具有光伏效應。在1956年，LoferskiJ.J.和他的團隊探討了制造太陽電池的最佳材料的物性，他們指出Eg在1.2～1.6eV范圍內的材料具有最高的轉換效率。目前實驗室GaAs電池的效率最高已經能夠達到50%。

　　GaAs太陽電池是一種Ⅲ~Ⅴ族化合物半導體太陽電池，與Si太陽電池相比，其特點為：

　　(1)轉換效率高。

　　GaAs的禁帶寬度相比于Si要寬，光譜響應特性與太陽光譜的匹配度也比Si要好。所以，GaAs太陽能電池的光電轉化效率要高于Si太陽能電池。Si電池的理論效率僅為23%，而單節的GaAs電池理論效率為27%，而多節GaAs的電池理論效率更是高達50%。

　　(2)可以制成超薄型電池。

　　GaAs是直接帶隙半導體，而Si是間接帶隙半導體，在可見光到紅外的光譜內，GaAs的吸收效率要遠遠高于Si。同樣吸收95%的太陽光，Si需要150μm以上的厚度，但是GaAs只需要5μm~10μm，用GaAs制成的太陽能電池，在質量上可以大大減輕。

　　(3)耐高溫

　　GaAs的本征載流子濃度低，GaAs太陽電池的最大功率溫度系數(-2×10-3℃-1)較低比Si(-4.4×10-3℃-1)太陽電池小很多。200℃時，Si太陽電池已不能工作，而GaAs太陽電池的效率仍有約10%。這使得GaAs電池可以在聚光領域有很好的應用。

　　(4)抗輻射性能好

　　GaAs少子壽命短，在離結幾個擴散度外產生的損傷，對光電流和暗電流均無影響。因此，其抗高能粒子輻照的性能優于間接禁帶的Si太陽電池。在電子能量為1MeV，通量為1×1015個/cm2輻照條件下，輻照后與輻照前太陽電池輸出功率比，GaAs單結太陽電池>0.76，GaAs多結太陽電池>0.81，而BSFSi太陽電池僅為0.70。

　　(5)可制成效率更高的多結疊層太陽電池

　　隨著MOCVD技術的日益完善，Ⅲ~Ⅴ族三元、四元化合物半導體材料(GaInP、AlGaInP、GaInAs)的生長技術取得重大突破，為多結疊層太陽電池研制提供了多種可供選擇的材料。

　　砷化鎵電池與硅光電池的比較

　　1、光電轉化率：

　　砷化鎵的禁帶較硅為寬，使得它的光譜響應性和空間太陽光譜匹配能力較硅好。硅電池的理論效率大概為23%，而單結的砷化鎵電池理論效率達到27%，而多結的砷化鎵電池理論效率更超過50%。

　　2、耐溫性

　　常規上，砷化鎵電池的耐溫性要好于硅光電池，有實驗數據表明，砷化鎵電池在250℃的條件下仍可以正常工作，但是硅光電池在200℃就已經無法正常運行。

　　3、機械強度和比重

　　砷化鎵較硅質在物理性質上要更脆，這一點使得其加工時比容易碎裂，所以，常把其制成薄膜，并使用襯底(常為Ge[鍺])，來對抗其在這一方面的不利，但是也增加了技術的復雜度。