經常看到關于電機的這類提問：比如“我的電機驅動器已停止正常工作”、“我的電機驅動器被損壞了”以及“我的電機不轉了”開頭的問題，究其背后的根本原因往往就是EOS。

下面我們在文中就簡單的說一說EOS是什么，并且列舉出電機驅動系統里導致EOS的幾大常見根源。

一、EOS的定義

廣義的過電應力（Electricaloverstress,EOS）是指元器件承受的電流或電壓應力超過其允許的最大范圍。過電應力是影響光耦器件的因素之一。

二、EOS規定限值

我們了解了EOS是什么，那么如何能知道規定限值是多少呢？為達到這個目的，我們必須仔細查看電子器件產品說明書中的絕對最大額定值表（請參看表1，它來自DRV8701產品說明書）。絕對最大額定值的技術規格是這樣的——超過它們會發生永久性損壞。在產品說明書中，絕對最大額定值與推薦工作條件不同；如果超過那些推薦工作條件的技術規格，器件可以繼續運行，只是在以產品說明書推薦工作條件范圍之外的技術規格運行。違反表1規定的一個例子是：如果由于電源軌上的瞬態事件，VM電源引腳達到了50V……

表1：DRV8701的絕對最大額定值表

三、EOS常見根源

在電機驅動系統里導致EOS的一些常見根源是什么？

01、電源過壓

EOS的最常見根源之一是器件電源輸入端上的過壓事件。電源過壓可由電機再生電能或系統的外部事件（如組件故障）引起。了解過壓事件的根源所在需要在一切可能的內部和外部運行條件下監測系統電源軌。

圖1：電源過壓瞬變

02、開關瞬變

導致電機驅動系統中出現EOS現象的另一種常見根源是：遭受與功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的開關相關的電壓瞬變。在理想的半橋開關系統中，電壓將在VGROUND和VSUPPLY（圖2）之間交替波動。但在現實中，功率MOSFET和印刷電路板（PCB）布局中的寄生現象會導致電壓瞬變——電壓將變得低于VGROUND或高于VSUPPLY（圖3）。

圖2：理想的半橋驅動器

圖3：存在寄生現象的半橋驅動器

03、MOSFET過流

TI的集成電機驅動器具有過流和過溫保護功能，可防止過流情況下的EOS。對于使用柵極驅動器（具有外部功率MOSFET）的系統，必須注意不要違反MOSFET安全工作區規定。功率MOSFET產品說明書通常會包含一個安全工作區（SOA）曲線圖（如圖4所示）。功率MOSFET中電流過大將最終導致該器件或其封裝的熱損壞。