我在中科君芯的安排下，近距離的參觀了無錫華潤上華，蘇巍副總接待了我，并有問必答。上華廠投資20多億美元，是以生產集成電路為主業的8英寸生產線，有時也給IGBT代工，廠房超凈為1級。溝槽線寬0.13μm，據蘇總介紹，該生產線低壓產品可以磨到50～60μm，電鏡檢查硅片的完整度，高能離子注入按需要可以從20萬電子伏特到50萬電子伏特。芯片的背后有4層金屬，即4μmAL（鋁）～200iTi（鈦）800iNI（鎳）～800iAg（銀）。他們的優品率可以到95%以上?？催^上華生產線后，我想到，如果用微電子的生產線來代工IGBT應該是一個非常好的舉措，蘇總講，確實為一些單位代工，生產出IGBT沒問題，只是可靠性不好考核。而且蘇總謙虛地說：“上海華虹的設備可能比我們還好。”我突然想起北大深圳研究生院的林信南教授給我的晶園廠名單，現把4英寸到12英寸69家（不包括南車和西安衛光）晶園廠名單列出，見表4。

表4  中國大陸晶圓廠目錄

    本表是按照晶圓廠業務集中微電子和電力電子兩大分支分類，其中有些晶圓廠兩方面業務都會涉及，因此標注“微電子/電力電子”。若只是專注某一業務，則會單獨標注“微電子”或“電力電子”。

    應該說，借微電子晶園廠之設備來生產IGBT是一個很好的方式。目前，除中科君芯外，斯達、宏微、新佳也在華虹、上華、先進等微電子產線試制，只是因對可靠性問題沒有把握而沒有封裝銷售。

表5

表6

    中科君芯團隊在肖慶云總經理的帶領下，已邁出堅實的一步，今年6月。國際專業資本“華登國家”向中科君芯投資5000萬元人民幣，我去君芯之時，碰巧召開董事會，見到了董事長中國科學院微電子所葉甜春研究員，他對IGBT行業了如指掌，并對IGBT產業化充滿信心。

    中科君芯對行業的信息非常了解，不但對南車、北車、斯達、宏微、新佳、銀茂、科達、鳳凰、賽維、長電、華天、富士通、環歐等企業了解，而且對國際IGBT的發展也很了解。在該公司，我曾聽到香港應用科學研究院謝斌博士做IGBT封裝技術的報告；參加了日本電裝程煒濤博士座談會，使我受益不淺。

5│幾點信息
    1．除ABB、英飛凌外，日本東芝、三菱、富士、電裝也很強，這四家均有專做IGBT的8英寸晶園線。深圳華能電子1990年代理日本富士IGBT時，富士即有200A/1400V的IGBT產品銷售。東芝生產的IEGT器件，已用到我國西氣東輸二線工程拖動5200轉1.8萬KW壓縮機的變頻器中。

    2．2013年半導體行業公司排名

    根據美國半導體產業協會（SIA）的統計，2013年全球半導體產業銷售額成長4.8%，達到3056億美元，首次突破3千億美元大關。

    半導體前20強的銷售收入超過全球總銷售收入的75%。

    3．中國半導體設計公司2013年排名

    作為世界級的設計公司美國高通，2013年營業收入249億美元。而以代工為主的臺積電2013年營業收入198億美元，臺積電有6條8寸線，3條12寸線，總產能＞1600萬片8英寸片。A8處理器導入臺積電20nm新工藝。2014年臺積電全面代工iphone6中主要芯片。

    4．我國微電子產業，中芯國際較強，有12英寸產線3條（我國有8條），分布在北京、上海、深圳；8英寸產線2條，分布在上海、深圳。中芯國際產線，線寬可達0.028μm，即28納米，國際上東芝可達16納米。

    5．日本電裝（愛知縣）8英寸IGBT產線，芯片正面樹脂材料（電裝和信越配制），背面鋁層外鍍1.1μmN1（鎳）～0.8μmAu（金），銅散熱器壓接式封裝。省掉了DBC。電流密度400A/cm2、1200V供給豐田汽車，600A/cm2900V,供給日產（進行中）。我國目前電流密度約150A/cm2。壓接式優于焊接，是潮流。銅散熱器優于鋁散熱器，體積小，導熱性能好。

    6．目前我國IGBT行業使用的單晶和DBC等輔助材料多數從國外進口。國外單晶的不均勻度約小于3%，我國天津中環環歐單晶也不錯，不均勻度約小于5～6%。日本信越公司（白河單晶廠為大）單晶質量很好。

    7．日本富士已在深圳市福永富士工場組裝中小型IGBT模塊。日本三菱在安徽建廠。

    8．多年前，ABB就生產IGCT，高壓大電流，ABB和西門子都裝出IGCT的高壓變頻器。近年，通過增強IGBT發射極端載流子濃度，東芝、三菱、日立、ABB等公司研制出高壓大電流產品，是從IGBT改進的，東芝叫IEGT從理論上講，IEGT較有優勢，成本也低。

    9．關于SIC器件，請教過日本羅姆（ROHM）公司分立器件部高級經理水原德健先生，羅姆公司是SIC器件的專業公司，主要生產MOSFET等汽車電子。他講：“SIC器件結溫現在只到200℃，主要因為輔料問題而達不到理論結溫，我們主要做MOSFET，IGBT沒有做”?，F在世界上做SIC-IGBT器件的有美國克瑞（LED也屬領導地位），日本三菱，但產量不大，主要是市場問題，SIC的器件要比硅基器件價格高6～10倍。這種寬禁帶材料有溫度特性好、通態壓降低等優點。英飛凌和富士均計劃2018年量產。但什么時候市場上SIC基IGBT能取代SI基IGBT，也許20年、30年，因為交流異步電機那么可靠，直流電機仍然存在；交流變頻調速那么好，直流調速仍然在用。我們還是先做好硅基器件。

王占奎介紹
    最早將三墾變頻器、富士變頻器、羅賓康高壓變頻器引入中國，編著有《交流變頻調速技術應用例集》（1995年）、《變頻調速應用百例》（1999年）兩書，現任中國電工技術學會電氣節能專業委員會秘書長。